9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFSL5620PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。IRFSL5620PBF参考价格为5.112美元。Infineon Technologies IRFSL5620PBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 24A TO262。您可以下载IRFSL5620PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFSL4620PBF是MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.084199盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供144 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14.8 ns，上升时间为22.4 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为24 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为77.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25.4ns，典型接通延迟时间为13.4ns，Qg栅极电荷为25nC，正向跨导Min为37S，沟道模式为增强。
IRFSL4410ZPBF是MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作9毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为83 nC，该器件提供230 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为97 a。
IRFSL4510PBF是“由IR制造的MOSFET MOSFET。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET MOSFET、N沟道100V 61A（Tc）140W（Tc）通孔TO-262、Trans MOSFET N-CH Si 100V 61B 3引脚（3+Tab）TO-262管、MOSFET MOSFET100V、64A、150 nC Qg、TO-262。
IRFSL4610PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 73A TO-262。IRFSL4610 PBF可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 73A-TO-262、N沟道100V 73B（Tc）190W（Tc）通孔TO-262，Trans MOSFET N-Ch100V 73A3-Pin（3+Tab）TO-262。
