9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFPS38N60L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFPS38N60L参考价格为14.158美元。Vishay Siliconix IRFPS38N60L封装/规格：MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247。您可以下载IRFPS38N60L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFPS3810PBF是MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247，包括管封装，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-274-3，提供Si等技术特性，通道数设计用于1个通道，以及单一配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为441W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为140 ns，上升时间为270 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为141 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为9 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为260nC，沟道模式为增强。
IRFPS3815PBF是MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在150 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于22 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如51 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为130 ns，器件提供15 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有260 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为441W，封装为管，封装外壳为TO-274-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为105 A，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFPS3815是由IR制造的MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247。IRFPS3715采用TO-274AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH150V 105B SUPER247。
