Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRLSL3036PBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 112
- 库存: 0
- 单价: ¥19.48340
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,182.14
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规格参数
- 包装数量 -
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 140 nC@4.5 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 供应商设备包装 TO-262
- 包装/外壳 TO-262-3长引线，我巴基斯坦，TO-262AA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 195A（Tc）
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 2.4毫欧姆@165A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11210 pF@50 V
- 最大功耗 380W (Tc)
IRLSL3036PBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 60V至80V，英飞凌
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
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| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRLSL3036PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRLSL3036PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRLSL3036PBF价格参考￥19.483401，你可以下载 IRLSL3036PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRLSL3036PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
