9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STH400N4F6-6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STH400N4F6-6参考价格为0.774美元。STMicroelectronics STH400N4F6-6封装/规格：MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6。您可以下载STH400N4F6-6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STH3N150-2带有引脚细节，包括N通道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有140 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，下降时间为61 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为1500V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为29.3nC，正向跨导最小值为2.6S。
STH400N4F6-2是MOSFET N沟道40 V 180 A STripFET功率MOSFET，包括4.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，典型的开启延迟时间设计为71纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道STripFET串联，上升时间为184 ns，漏极-源极电阻Rds为1.15 mOhms，Qg栅极电荷为404 nC，Pd功耗为300 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为180 A，下降时间为168 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STH360N4F6-2是MOSFET N沟道40 V 180 A STripFET Pwr MOSFET，包括增强型沟道模式，它们设计为以180 A Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1沟道数量的沟道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，封装为Reel，该器件提供300 W Pd功耗，该器件具有340 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为1.25 mOhm，系列为N沟道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V。
