9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRLR3110Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRLR3110Z参考价格为1.54美元。Infineon Technologies AUIRLR3110Z封装/规格：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK。您可以下载AUIRLR3110Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRLR3105是MOSFET N-CH 55V 25A DPAK，包括管封装，它们设计用于0.13932盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及57 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C。此外，Vgs栅极-源极电压为16 V，器件提供25 A Id的连续漏极电流，器件具有55 V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为43 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为13.3 nC。
AUIRLR3105TRL是MOSFET 55V 25A 43 mOhm自动逻辑电平MOSFET，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作13.3nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为57 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TO-252-3封装外壳，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为25 a。
AUIRLR2908TRR是MOSFET 80V 30A 28 mOhm自动逻辑电平MOSFET，包括39 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TO-252-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及120 W Pd功耗，该器件也可以用作22.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有0.13932盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为80 V。
