9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB13NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB13NM50N价格参考1.39美元。STMicroelectronics STB13NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK。您可以下载STB13NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB13NK60ZT4是MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为66nC，正向跨导最小值为11S，沟道模式为增强。
STB13N60M2是MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，典型开启延迟时间设计为11 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh M2，上升时间为10ns，Rds漏极-源极电阻为380mOhms，Qg栅极电荷为17nC，Pd功耗为110W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为9.5 ns，配置为单一。
STB13N80K5是MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK，包括单一配置，它们设计为在16 ns的下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于12 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有190 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为29 nC，Rds漏极-源极电阻为450 mOhms，上升时间为16 ns，系列为MDmesh K5，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为16ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
STB13NK60Z-1带有STB13NK60Z-1制造的EDA/CAD模型。STB13TK60Z-1采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
