9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRLR3114Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRLR3114Z参考价格为2.142美元。Infineon Technologies AUIRLR3114Z封装/规格：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK。您可以下载AUIRLR3114Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AUIRLR3110Z是MOSFET N-CH 100V 63A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，器件具有16 V Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为63 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为16 mOhm，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为34 nC。
AUIRLR3110ZTRR是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14欧姆，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作16毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为34 nC，该器件提供140 W Pd功耗，该器件具有一个卷式封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为63 a，配置为单通道。
AUIRLR3105TRL是MOSFET 55V 25A 43 mOhm自动逻辑电平MOSFET，包括25 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TO-252-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及57 W Pd功耗，该器件也可以用作13.3nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为43mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，单位重量为0.139332oz，Vds漏极源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为16V。
