9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR482DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR482DP-T1-GE3参考价格为8.842美元。Vishay Siliconix SIR482DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8。您可以下载SIR482DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR474DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR474DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为12 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为14ns，正向跨导最小值为30S，沟道模式为增强。
SIR476DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIRxxxDP系列，该器件的上升时间为31 ns，漏极-源极电阻Rds为1.75 mOhms，Pd功耗为6.25 W，零件别名为SIR476DP-GE3，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为60 A，正向跨导最小值为98 S，下降时间为48 ns，配置为单一，信道模式为增强。
SIR474DP-T1-GE3 P/b，带有VISHAY制造的电路图。SIR474DP-T1-GE3 P/b采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SIR476DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR476DP-T1-E3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
