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AUIRLR3410TR是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供79 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为53 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为17 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为34nC，正向跨导最小值为7.7S，沟道模式为增强。
AUIRLR3410TRL是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在16 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为7.2 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为53 ns，漏极-源极电阻Rds为105 mOhms，Qg栅极电荷为34 nC，Pd功耗为79 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为17 A，正向跨导最小值为7.7 S，下降时间为26 ns，配置为单奎因源，信道模式为增强型。
AUIRLR3410TRR是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms，包括增强信道模式，它们设计用于单奎因源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于26 ns，提供正向跨导最小特性，如7.7 S，Id连续漏电流设计用于17 a，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-252-3封装盒，封装为卷筒，Pd功耗为79 W，Qg栅极电荷为34 nC，漏极-源极电阻为105 mOhms，上升时间为53ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为7.2ns，单位重量为0.139322oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅源极电压为16V，Vgsth栅源极阈值电压为2V。
