9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR814DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR814DP-T1-GE3参考价格为5.372美元。Vishay Siliconix SIR814DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR814DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR804DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR804DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为2450pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为7.2mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为76nC@10V，Pd功耗为104W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第N栅极-源极端电压为3 V，Rds漏极源极电阻为7.2 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38nS，典型接通延迟时间为11nS，Qg栅极电荷为50.8nC，正向跨导Min为73S。
SIR802DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR SO-8，该设备以TrenchFETR系列提供，该设备具有5 mOhm@10A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为5 mOhms，功率最大值为27.7W，Pd功耗为27.7 W，部件别名为SIR802DP-GE3，包装为Digi-ReelR Alternative Packaging，包装箱为PowerPAKR-SO-8，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为1785pF@10V，Id连续漏电流为30 A，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc）。
SIR808DP-T1-GE3是MOSFET 25伏特20安培29.8瓦，包括单配置，它们设计为在7 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了36 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流特性，如20 a，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及1信道数信道，该装置也可用作SO-8包装箱。此外，封装为Reel，该器件以SIR808DP-GE3部件别名提供，该器件具有29.8 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为15.2 nC，Rds漏极-源极电阻为7.4 mOhm，上升时间为10 ns，系列为SIRxxxDP，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为5ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SiR802DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SiR802DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
