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AUIRLR3705ZTRL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8欧姆，包括卷轴封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供130 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为150 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
AUIRLR3705ZTR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8欧姆，包括16 V Vgs栅极-源极电压，设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于4 g，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为150 ns，器件具有8 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为130 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为3.1 A，下降时间为70 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRLR3705Z是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8欧姆，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了70纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如89 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有130W的Pd功耗，Qg栅极电荷为44nC，Rds漏极-源极电阻为12mOhm，上升时间为150ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型的接通延迟时间为17ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为16V。
