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IRFS7530-7PPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥23.09037
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23.09
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 250A
  • 最大功耗 375W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 240A(Tc)
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4毫欧姆@100A,10V
  • 供应商设备包装 D2PAK (7-Lead)
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 354 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12960 pF@25 V
  • 色彩/颜色 黑色

IRFS7530-7PPBF 产品详情

国际整流器公司宣布扩大其StrongIRFET™ MOSFET产品组合包括用于各种工业应用的60V器件,包括电动工具、轻型电动汽车(LEV)逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关电源(SMPS)二次侧同步整流。60V StrongIRFET的新系列™ 功率MOSFET具有超低导通状态电阻(RDS(on)),可改善低频应用中的性能,非常高的载流能力,软体二极管,以及3 V典型阈值电压,以提高抗噪声能力。该系列中的每一个设备都经过了行业最高雪崩电流水平的100%雪崩测试,以确保为苛刻的工业应用提供最可靠的解决方案。该器件可用于通孔和表面安装D2-PAK封装。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对10 V栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化
  • 硅优化用于低于100 KHz的应用切换
  • 与上一代硅相比,更柔软的体二极管
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 高载流能力封装(高达195 A,取决于管芯尺寸)
  • 能够进行波峰焊接
IRFS7530-7PPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFS7530-7PPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFS7530-7PPBF价格参考¥23.090365,你可以下载 IRFS7530-7PPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFS7530-7PPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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