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IRFS7530PBF
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IRFS7530PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.51621
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.52
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2毫欧姆@100A，10V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 195A（Tc）
  • 最大功耗 375W (Tc)
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 411 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13703 pF@25 V

IRFS7530PBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 60V至80V，英飞凌

Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对10 V栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
  • 硅优化用于低于100 KHz的应用切换
  • 与上一代硅相比，更柔软的体二极管
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 高载流能力封装（高达195 A，取决于管芯尺寸）
  • 能够进行波峰焊接

IRFS7530PBF 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IRFV064IRFV064英飞凌 (Infineon)IRFV064¥1,575.83775
IRF3205PBFIRF3205PBF英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥12.96479
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IRF3710PBFIRF3710PBF英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥14.19608
IRFB4228PBFIRFB4228PBF英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）¥30.63747
IRFZ34NPBFIRFZ34NPBF英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥7.89476
IRFS7530PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFS7530PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFS7530PBF价格参考￥11.516211，你可以下载 IRFS7530PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFS7530PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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