9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDF10N60ZG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDF10N60ZG参考价格为0.56000美元。onsemi NDF10N60ZG封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP。您可以下载NDF10N60ZG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDF08N60ZG是MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds漏极-源极电阻为950mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为39nC，正向跨导Min为6.3S。
NDF08N60ZH是MOSFET NFET 600V 7.5A，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.211644 oz，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及950 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-220-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型通孔，Id连续漏电流为8.4 a。
NDF10N60Z带有ON制造的电路图。NDF10N60 Z可在TO-220F封装中获得，是FET的一部分-单个。
