9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDF06N60ZG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDF06N60ZG参考价格为0.46000美元。onsemi NDF06N60ZG封装/规格：MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP。您可以下载NDF06N60ZG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NDF06N60ZG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如NDF06N60ZG库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
NDF05N50ZG是MOSFET N-CH 500V TO-220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供28 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V至4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.25欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为18.5nC，正向跨导最小值为3.5S。
NDF05N50ZH是MOSFET NFET 500V 5A 1.2，包括3.9 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型的开启延迟时间设计为11 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为15纳秒，漏极-源极电阻Rds为1.5欧姆，Qg栅极电荷为18.5nC，Pd功耗为30W，封装为管，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为5.5 A，正向跨导最小值为3.5 S，下降时间为14 ns，配置为单一。
NDF0610是FSC制造的P通道60V 180mA（Ta）通孔TO-92-3。NDF0610采用TO-92封装，是IC芯片的一部分，支持P通道60V 180mA（Ta）通孔TO-92-3。
