9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB18NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB18NM60N参考价格$3.406。STMicroelectronics STB18NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK。您可以下载STB18NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB18NF25是MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有110 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8.8 ns，上升时间为17.2 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为8.8ns，正向跨导Min为14S。
STB18N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5，包括25 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该设备也可以用作MDmesh M5系列。此外，上升时间为7ns，器件提供198 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有31nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为110W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为9 ns，配置为单一。
STB18NF30是MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK，包括18A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了to-252-3中使用的封装情况，该to-252-3提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计为工作在150W，以及44nC Qg栅极电荷，该器件也可以用作180mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列是N沟道STripFET，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为330 V。
