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IRFS7540PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 16

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  • 单价: ¥5.14246
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    - +
  • 总计: ¥82.28
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 130 nC@10 V
  • 最大功耗 160W(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 100A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 110A(Tc)
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.1毫欧姆 @ 65A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4555 pF @ 25 V

IRFS7540PBF 产品详情

IRFS7540PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFS7540PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFS7540PBF价格参考¥5.142459,你可以下载 IRFS7540PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFS7540PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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