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FCPF11N60F是MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F，包括SuperFET FRFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为56 ns，上升时间为98 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为11 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为119ns，典型接通延迟时间为34ns，正向跨导最小值为9.7S，沟道模式为增强型。
FCPF11N60T是MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如34 ns，典型的关闭延迟时间设计为119 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为98ns，器件的漏极电阻为320mOhms，Pd功耗为36W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为11 A，正向跨导最小值为9.7 S，下降时间为56 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FCPF11N60NT是MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F，包括单一配置，它们设计为在10 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了13.5 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流特性，如10.8 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有32.1W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为255mOhms，上升时间为9.1ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为13.6ns，单位重量为0.080072盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600伏。
