特色
•低导通电阻
•低栅极电荷
•ESD二极管−保护栅极
•100%雪崩测试
•这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
NDF04N60ZH
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1069
- 库存: 140928
- 单价: ¥2.02801
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,167.94
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 最大功耗 30W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 640 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@2A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.8A (Tc)
- 供应商设备包装 TO-220-2 Full Pack
NDF04N60ZH 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NDF04N60ZH所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDF04N60ZH 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDF04N60ZH价格参考￥2.028012，你可以下载 NDF04N60ZH中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDF04N60ZH规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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