9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH5306TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH5306TR2PBF参考价格为9.678美元。Infineon Technologies IRFH5306TR2PBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN。您可以下载IRFH5306TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH5302TRPBF是MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及1 N通道晶体管类型，该器件也可以用作100W Pd功率耗散。此外，Vgs栅极-源极电压为20V，器件提供100A Id连续漏极电流，器件具有30V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为2.1mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为29nC。
IRFH5304TRPBF是MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作16nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为3.6 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有PQFN-8封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为79 a。
IRFH5303TRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 15nC，包括82 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供PQFN-8等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及46 W Pd功耗，该器件也可以用作15nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为4.2mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRFH5304TR2PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN。IRFH5302TR2PBF可提供8-VQFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 22B 8VQF、N沟道30V 22C（Ta）、79A（Tc）3.6W（Ta）和46W（Tc）表面贴装PQFN（5x6）单芯片。
