9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDF05N50ZH，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDF05N50ZH参考价格为0.28000美元。onsemi NDF05N50ZH封装/规格：MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP。您可以下载NDF05N50ZH英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDF05N50ZG是MOSFET N-CH 500V TO-220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供28 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V至4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.25欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为18.5nC，正向跨导最小值为3.5S。
NDF04N60ZH是MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP，包括3.9 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为9ns，漏极-源极电阻Rds为2欧姆，Qg栅极电荷为19nC，Pd功耗为30W，封装为管，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为4.8 A，正向跨导最小值为3.3 S，下降时间为15 ns，配置为单一。
NDF04N62ZG是MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP，包括单一配置，它们设计为在4.4 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，封装为散装，器件提供28W Pd功耗，器件具有2欧姆Rds漏极-源极电阻，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极源极击穿电压为620V，Vgs栅极-源极电压为30V。
