9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL70N10F3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL70N10F3参考价格为1.794美元。STMicroelectronics STL70N10F3封装/规格：MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6。您可以下载STL70N10F3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL6P3LLH6具有引脚细节，包括P沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为2.9W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为21ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅-源极阈值电压为1V，Rds漏极-源极电阻为30mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为12nC，沟道模式为增强。
STL6NK55Z带有ST制造的用户指南。STL6NK55 Z采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
STL6NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT。STL6NM60 N采用8-PowerVDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 5.75A Power FLAT、N通道600V 5.75A（Tc）70W（Tc）表面安装POWERFLAT？（5x5）。
