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FDFME2P823ZT是MOSFET-20V集成P-Ch PwrTrnch w/Sch二极管,包括卷轴封装,它们设计为在0.000889盎司单位重量下工作,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装外壳功能,如microFET-6,技术设计为在Si中工作,该器件也可以作为肖特基二极管配置的单个器件使用。此外,晶体管类型为2 P沟道,器件提供1.3 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为16 ns,上升时间为4.8 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-8 V,Id连续漏极电流为-2.3 A,Vds漏极-源极击穿电压为-20V,Vgs栅极-源极阈值电压为-0.6V,Rds导通漏极-漏极电阻为95mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为33ns,典型导通延迟时间为4.7ns,Qg栅极电荷为5.5nC,正向跨导最小值为7S。
FDFMA3P029Z是MOSFET PChan Sgl-30V-3.3A PowerTrench MOSFET,包括-1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压,它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于-30 V,提供单位重量功能,如0.002116盎司,典型开启延迟时间设计为5.2 ns,该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为P沟道,器件采用Si技术,器件具有3 ns的上升时间,漏极-源极电阻Rds为87 mOhms,Qg栅极电荷为7.2 nC,Pd功耗为1.4 W,封装为卷轴式,封装盒为microFET-6,沟道数为1沟道,安装方式为SMD/SMT,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏极电流为-3.3 A,正向跨导最小值为6 S,下降时间为11 ns,配置为单肖特基二极管。
FDFMA3W109,带有FAIRCHILD制造的电路图。FDFMA3W109采用QFN封装,是IC芯片的一部分。