9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7769L2TR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7769L2TR1PBF参考价格为2.66美元。Infineon Technologies IRF7769L2TR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET。您可以下载IRF7769L2TR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF7769L1TRPBF是MOSFET 60V N-Ch 124A 3.5 mOhm 200nC，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装盒功能，如DirectFET-4，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为124 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型接通延迟时间为44ns，Qg栅极电荷为200nC，正向跨导最小值为410S，沟道模式为增强。
IRF7759L2TRPBF是MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于18 ns的典型开启延迟时间，其提供了典型的关闭延迟时间功能，例如80 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作DirectFET商品名。此外，该技术为Si，器件的上升时间为87 ns，器件的漏极-源极电阻为1.8 mOhm，Qg栅极电荷为200 nC，Pd功耗为125 W，封装为卷轴，封装外壳为DirectFET-9，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为160 A，下降时间为33 ns，配置为单八进制源十六进制漏，通道模式为增强。
IRF7757TR是MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8，包括4.8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在23nC@4.5V下工作，除了1340pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）包装盒，该设备具有包装带和卷轴（TR），最大功率为1.2W，最大Id Vgs的Rds为35mOhm@4.8A，4.5V，系列为HEXFETR，供应商设备包装为8-TSSOP，Vgs最大Id为1.2V@250μa。
IRF7757TRPBF是MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于表面安装安装型，FET功能如数据表注释所示，用于逻辑电平门，提供HEXFETR、，包装箱设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）以及8-TSSOP供应商设备包装，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，25°C的电流连续漏极Id为4.8A，该器件提供35 mOhm@4.8A，4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有23nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，漏极到源极电压Vdss为20V，FET类型为2 N通道（双），输入电容Cis Vds为1340pF@15V，最大功率为1.2W，Vgs最大Id为1.2V@250μa。
