9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDF11N50ZH，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDF11N50ZH参考价格为1.534美元。onsemi NDF11N50ZH封装/规格：MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP。您可以下载NDF11N50ZH英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDF10N60ZH是MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供39 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极源极电阻为650mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为47nC，正向跨导Min为7.9S。
NDF11N50ZG是MOSFET 500V 0.52 OHM TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作NDF11N50Z系列。此外，Rds漏极源极电阻为520 mOhms，该器件具有39 W Pd功耗，该器件有一个封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为12A，并且配置为Single。
NDF10N62ZG是ON公司制造的MOSFET N-CH 620V 10A TO220FP。NDF10N62 ZG采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH620V 10A TO 220FP、N沟道620V 10A（Tc）36W（Tc）通孔TO-220FP。
