9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7799L2TR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7799L2TR1PBF参考价格$2.532。Infineon Technologies IRF7799L2TR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET。您可以下载IRF7799L2TR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF7769L1TRPBF是MOSFET 60V N-Ch 124A 3.5 mOhm 200nC，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装盒功能，如DirectFET-4，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为124 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型接通延迟时间为44ns，Qg栅极电荷为200nC，正向跨导最小值为410S，沟道模式为增强。
IRF7769L2TRPBF是MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于44 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如92 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作DirectFET商品名。此外，该技术为Si，器件的上升时间为32ns，器件的漏极-源极电阻为2.8mOhm，Qg栅极电荷为200nC，Pd功耗为125W，封装为卷轴式，封装外壳为DirectFET-9，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为124 A，下降时间为41 ns，配置为单十六进制漏八进制源，通道模式为增强型。
IRF7779L2TRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC，包括增强通道模式，它们设计用于单八方源六方漏极配置，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供Id连续漏极电流功能，如67 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用DirectFET-9封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为125W，Qg栅极电荷为11nC，Rds漏极源极电阻为9mOhm，上升时间为19ns，技术为Si，商品名为DirectFET，晶体管极性为N信道，并且晶体管类型是1N沟道，并且典型关断延迟时间是36ns，并且典型接通延迟时间是16ns，并且Vds漏极-源极击穿电压是150V，并且Vgs栅极-源极电压是20V。
IRF7780MTRPBF带有由IR制造的EDA/CAD型号，是晶体管FET、MOSFET的一部分，并支持“MOSFET 75V、N沟道75V 89A（Tc）96W（Tc）表面安装DirectFET”等轴测ME、Trans MOSFET N-CH 75V 89B 10引脚直接FET ME T/R、MOSFET 75A、89A、DirectFET 5.7mOhm、124nC Og。
