9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF6NK70Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF6NK70Z参考价格为0.714美元。STMicroelectronics STF6NK70Z封装/规格：MOSFET N-CH 700V 5A TO220FP。您可以下载STF6NK70Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF6N80K5是MOSFET功率MOSFET，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为4.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.5ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为13nC，沟道模式为增强。
STF6N95K5是MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在950 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作MDmesh K5系列。此外，Rds漏极-源极电阻为1.25欧姆，器件采用13nC Qg栅极电荷，器件具有25W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为9 A。
STF6NK50Z带有ST制造的电路图。STF6NK50HZ采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
