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HTNFET-DC

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规格参数

  • 包装数量 -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 工作温度 -
  • 供应商设备包装 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@100A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.3 nC @ 5 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 10伏
  • 制造厂商 霍尼韦尔航天 (Honeywell)
  • 导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 100毫安, 5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290 pF@28 V
  • 最大功耗 50W (Tj)
  • 包装/外壳 8-CDIP Exposed Pad

HTNFET-DC 产品详情

HTNFET-DC所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HTNFET-DC 由 霍尼韦尔航天 (Honeywell) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HTNFET-DC价格参考¥76.847169,你可以下载 HTNFET-DC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HTNFET-DC规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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