特色
- 改进了栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性
- 完全特征化的电容和雪崩SOA
- 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力
- 无铅，符合RoHS
- 强IRFET™
IRFI7440GPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A（Tc） 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥3.83874
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.84
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 100A
- 最大功耗 42W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-220AB Full-Pak
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 132 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 95A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.5毫欧姆@57A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4549 pF @ 25 V
IRFI7440GPBF 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
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 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFI7440GPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFI7440GPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFI7440GPBF价格参考￥3.838737，你可以下载 IRFI7440GPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFI7440GPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
