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IRF710SPBF是MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp,包括管封装,它们设计为以0.050717 oz的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供3.1 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为11 ns,上升时间为9.9 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为2 A,Vds漏极-源极击穿电压为400V,Rds漏极漏极-漏极电阻为3.6欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为21ns,典型接通延迟时间为8ns,沟道模式为增强。
IRF710STRPBF带有IR制造的用户指南。IRF710STRPBF采用TO-263封装,是IC芯片的一部分。
IRF712,带有HAR制造的电路图。IRF712采用TOP-3P封装,是IC芯片的一部分。