9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7191TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7191TRPBF价格参考1.91美元。Infineon Technologies IRFH7191TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN。您可以下载IRFH7191TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH7188TRPBF带有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了PQFN-8中使用的封装盒，该PQFN-8提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备还可以用作132 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为3.4 ns，上升时间为4.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为105 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3.6 V，Rds导通漏极-源极电阻为6毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12纳秒，典型接通延迟时间为4.9纳秒，Qg栅极电荷为33纳秒，正向跨导最小值为109秒，沟道模式为增强。
IRFH7187TRPBF，带有IR制造的用户指南。IRFH7187 TRPBF采用DFN5X6封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道100V 18A（Ta）、105A（Tc）3.8W（Ta），132W（Tc）表面安装8-PQFN（5x6）、Trans-MOSFET N-CH T/R、MOSFET、100V、100A、6.0 mOhm、31 nC Qg、PQFN 5x6”。
IRFH7190TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFH7190 TRPBF采用8功率TDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 15A、N沟道100V 15A（Ta）、82A（Tc）3.6W（Ta）和104W（Tc）表面安装PQFN（5x6）、MOSFET MOSFET 100V、82A、7.5 mOhm、26 nC Qg、PQFN 5x6。
