9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SFT1446-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SFT1446-TL-H参考价格为1.554美元。onsemi SFT1446-TL-H封装/规格：MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA。您可以下载SFT1446-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SFT1445-TL-H是MOSFET NCH 4V DRIVE系列，包括SFT1445系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为85mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为19nC。
SFT1446-H是MOSFET NCH 4V DRIVE系列，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及SFT1446系列，该器件也可以用作51毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为23 W，设备采用卷筒包装，设备具有TP-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20 a，配置为单一。
SFT1445-H是MOSFET NCH 4V DRIVE系列，包括17 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装方式，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供IPAK-3等封装外壳功能，封装设计用于批量工作，以及1 W Pd功耗，该器件也可以用作85mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为SFT1445，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100 V。
