9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STH245N75F3-6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STH245N75F3-6参考价格为0.758美元。STMicroelectronics STH245N75F3-6封装/规格：MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6。您可以下载STH245N75F3-6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STH240N10F7-2带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置是单一的，该器件提供300 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为112 ns，上升时间为139 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为180 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-源极电阻为2.5mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为49ns，Qg栅极电荷为160nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STH240N10F7-6，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为49 ns，以及110 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有139纳秒的上升时间，Rds漏极-源极电阻为2.5毫欧姆，Qg栅极电荷为160 nC，Pd功耗为300 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-263-7，信道数为1信道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为180 A，下降时间为112 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STH240N75F3-6是MOSFET N沟道75V 210A STripFET III，包括单配置，它们设计为在180 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1信道数的信道，该装置也可用作TO-263-7包装箱。此外，封装为Reel，器件提供300 W Pd功耗，器件具有3 mOhms的Rds漏极-源极电阻，串联为N沟道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.056438 oz，Vds漏极源极击穿电压为75 V，Vgs栅极-源极电压为20V。
