9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL62P3LLH6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL62P3LLH6参考价格为0.71292美元。STMicroelectronics STL62P3LLH6封装/规格：MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT。您可以下载STL62P3LLH6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL60P4LLF6，带引脚细节，包括STripFET？F6系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerSMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，供应商设备包是PowerFlat？（5x6），该器件采用MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型，该器件最大功率为100W，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为3525pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为60A（Tc），最大Id Vgs为14mOhm@6.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μa（Min），栅极电荷Qg-Vgs为34nC@4.5V。
STL60N3LLH5是MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-22 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，Rds漏极-源极电阻为6.3毫欧，器件提供8 nC Qg栅极电荷，器件具有60 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为60 A，配置为单一。
STL60NH3LL是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5。STL60NH3LL可提供8-PowerVDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 16A PWRFLAT6 X5、N沟道30V 30A（Tc）60W（Tc）表面安装PowerFlat？（6x5）。
STL6110，带有SAMSUNG制造的EDA/CAD模型。STL6110采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
