IPS65R1K5CEAKMA1

规格参数

• 包装数量 -
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 安装类别 通孔
• 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
• 漏源电压标 (Vdss) 650 V
• 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 包装/外壳 TO-251-3短截线，IPak
• 部件状态 过时的
• 最大功耗 28W（Tc）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.5 nC@10 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A（Tc）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@100A.
• 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@1A，10V
• 供应商设备包装 TO-251
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 225 pF@100 V