9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA50R650CEXKSA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA50R650CEXKSA2参考价格为0.29000美元。Infineon Technologies IPA50R650CEXKSA2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220。您可以下载IPA50R650CEXKSA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPA50R650CE是MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP，包括XPA50R650系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA50R650 CEXKSA2 SP001217232，该产品提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于PG-TO220，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有27.2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为15nC，沟道模式为增强。
IPA50R520CP是MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为500V，Qg栅极电荷为13nC，Pd功耗为66W，零件别名为IPA50R520CPXK IPA50R520 CPXKSA1 SP000236076，包装为管，包装盒为TO-220-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7.1 A，下降时间为17 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPA50R650CEXKSA1带有电路图，包括单配置，它们设计为在13 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于6.1 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管式封装，器件具有零件别名SP000992086，Pd功耗为27W，Qg栅极电荷为15nC，漏极电阻Rds为500V，上升时间为5ns，系列为IPA50R650，技术为Si，商品名为CoolMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为6ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为3V。
