9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA60R800CEXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA60R800CEXKSA1参考价格为0.33000美元。Infineon Technologies IPA60R800CEXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP。您可以下载IPA60R800CEXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPA60R650CEXKSA1带有引脚细节，包括管封装，它们设计用于IPA60R650 CE SP001276044零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于CoolMOS，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为28 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为11 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为20.5nC，沟道模式为增强。
IPA60R750E6是MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件的漏极-源极电阻为680 mOhms Rds，该器件具有17.2 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为27 W，零件别名为IPA60R750E6XK IPA60R750 E6XKSA1 SP000842480，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5.7 A。
IPA60R600P6是MOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM，包括150 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装方式，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计用于管，以及IPA60R600 P6XKSA1 SP001017070零件别名，该器件也可以用作600欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600伏。
IPA60R750E6XKSA1是MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS E6，包括XPA60R750系列，它们设计用于管式封装，封装情况如数据表注释所示，用于to-220-3，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及IPA60R750 E6 IPA60R750-E6XK SP000842480零件别名，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
