IPU60R1K0CEBKMA1

规格参数

• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 安装类别 通孔
• 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
• 漏源电压标 (Vdss) 600 V
• 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
• 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆，1.5A，10V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 4.3A (Tc)
• 最大功耗 37W (Tc)
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@130A.
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 280 pF@100 V
• 供应商设备包装 TO-251
• 部件状态 Digi-Key停产