9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4448DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4448DY-T1-GE3参考价格$1.768。Vishay Siliconix SI4448DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 50A 8SO。您可以下载SI4448DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4447DY-T1-E3是MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4447DY-E3的零件别名，该SI4447DY-E3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为805pF@20V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3.3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为72mOhm@4.5A，15V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为3.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds导通漏极-漏极电阻为54mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为74ns，典型导通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
SI4447DY-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为74 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为12ns，器件的漏极-源极电阻为54mOhm，Pd功耗为1.1W，零件别名为SI4447DY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3.3 A，下降时间为38 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4447DY，带有SI制造的电路图。SI4447DY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI4447DY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4447DY-T1采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
