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IPA60R125C6是MOSFET N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA60R125:C6XK IPA60R125-C6XKSA1 SP000685848，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为34 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为83ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为96nC。
IPA60R099P6是MOSFET高功率价格/性能，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.211644 oz，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及XPA60R099系列，该器件也可以用作99欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPA60R099P6XKSA1 SP001114654，该设备采用管式封装，该设备具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为150 a。
IPA60R099P6XKSA1是MOSFET高功率价格/性能，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管的封装，该管提供零件别名功能，如IPA60R09986 SP001114654，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPA60R099C7XKSA1，带EDA/CAD型号，包括管包装，设计用于to-220-3包装箱。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供零件别名功能，如IPA60R09987 SP001297996。
