9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4483EDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4483EDY-T1-GE3参考价格22.94026美元。Vishay Siliconix SI4483EDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 10A 8SO。您可以下载SI4483EDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4483ADY-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4483ADY-GE3中使用的零件别名，该SI4483ADY-GE3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为5.9W，晶体管类型为1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为3900pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为19.2A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.8mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为2.6V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为135nC@10V，Pd功耗为2.9W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为13 ns 28 ns，上升时间为13 ns150 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为13.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为8.8 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为49 ns 43 ns，典型开启延迟时间为14ns 70ns，信道模式为增强。
SI4483ADY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4483ADY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4483DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4483DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4483EDY-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC。SI4483EDY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC、P沟道30V 10A（Ta）1.5W（Ta）表面安装8-SO。
