9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4493DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4493DY-T1-GE3参考价格为5.666美元。Vishay Siliconix SI4493DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 10A 8SO。您可以下载SI4493DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4493DY-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4493DY T1零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为150 ns，上升时间为150纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为7.75mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为220ns，典型接通延迟时间为110ns，沟道模式为增强型。
SI4491EDY-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，封装设计为在卷筒中工作，以及1个信道数的信道。
SI4493DY是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8引脚SOIC N。SI4493DY在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8引脚SOIC N。
