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SI4652DY-T1-E3是MOSFET 25V 30A 6.0W，包括卷轴封装，它们设计为与SI4652DY-E3零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在SOIC窄8以及Si技术中工作，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为21.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds漏极导通-源极电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为32ns，沟道模式为增强型。
SI4652DY-T1-GE3是MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm@10V，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作3.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为3 W，该器件以SI4652DY-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为SOIC窄8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为21.5A，并且配置为Single。
SI4650DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性显示在数据表注释中，用于标准，提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计为在40nC@10V下工作，除了1550pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大值为3.1W，Rds On Max Id Vgs为18mOhm@8A，10V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为8-SO，Vgs th Max Id为3V@1mA。
