9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4660DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4660DY-T1-E3参考价格$5.032。Vishay Siliconix SI4660DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO。您可以下载SI4660DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4654DY-T1-E3是MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4654DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为18.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds导通漏极-漏极电阻为4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强型。
SI4652DY-T1-GE3是MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm@10V，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作3.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为3 W，该器件以SI4652DY-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为SOIC窄8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为21.5A，并且配置为Single。
SI4654DY-T1-E3-S，带有VISHAY制造的电路图。SI4654DY-T1-E3-S采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
Si4660DY-T1-E3是30000VISHAY制造的MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC。Si4660DY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC、N沟道25V 23.1 A（Tc）3.1W（Ta）、5.6W（Tc）表面安装8-SO、Trans MOSFET N-CH25V 17.2A 8-Pin SOIC N T/R。
