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SPW17N80C3FKSA1是MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3，包括XPW17N80系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于SP000013369 SPW17N70C3 SPW17N60C3XK的零件别名，该SPW17N90C3XK提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于CoolMOS，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用1 N信道配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为208 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为290mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为91nC，沟道模式为增强。
SPW20N60CFD是MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为59 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS CFD系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为220 mOhms，Pd功耗为208 W，零件别名为SP000014535 SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N50CFDXK，包装为管，包装箱为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20.7 A，下降时间为6.4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPW20N60C3是MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，以4.5 ns为单位，提供Id连续漏极电流特性，如20.7 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，零件别名为SP000013729 SPW20N60C3FKSA1 SPW20N80C3XK，Pd功耗为208 W，漏极电阻Rds为190 mOhms，上升时间为5 ns，系列为CoolMOS C3，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为67ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SPW20N60C2是INF制造的Trans-MOSFET N-CH 600V 20A 3引脚（3+Tab）TO-247。SPW20N50C2采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSMOSFET N-CH 600V 20A 3针（3+Tab）TO-244。
