9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4833ADY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4833ADY-T1-GE3参考价格$5.144。Vishay Siliconix SI4833ADY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO。您可以下载SI4833ADY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI4833ADY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
Si4833ADY-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于Si4833ADY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有1.93 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为59 ns 11 ns，上升时间为59纳秒11 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.85A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为72mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为26ns 19ns，典型接通延迟时间为20ns 7ns，沟道模式为增强型。
SI4832DY-T1-E3{}，带有VISHAY制造的用户指南。SI4832DY-T1-E3{}在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4833ADY，带有SI制造的电路图。SI4833ADY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
Si4833ADY-T1-GE3是由10VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC。Si4833ADY-T1-GE3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是集成电路芯片的一部分，支持MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC、P沟道30V 4.6V（Tc）1.93W（Ta）、2.75W（Tc）表面安装8-SO、Trans MOSFET P-CH30V 3.85A 8-Pin SOIC N T/R。
