9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP90R500C3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP90R500C3价格参考1.47000美元。Infineon Technologies IPP90R500C3封装/规格：MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3。您可以下载IPP90R500C3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPP90R1K2C3是MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP90R1 K2C3XK IPP90R K2C3XKSA1 SP000683096中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为830 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.1A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，沟道模式为增强。
IPP90R340C3是MOSFET N-CH 900V 15A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如70纳秒，典型的关闭延迟时间设计为400纳秒，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为20ns，漏极源极电阻Rds为340mOhms，Pd功耗为208W，零件别名为IPP90R340C3XK IPP90R40C3XKSA1 SP000683098，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为25 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP90R340C3XKSA1是MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPP90R140C3 IPP90R240C3XK SP000683098，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
