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SSM3J15CT(TPL3)

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 100mW(Ta) 供应商设备包装: CST3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥7.09804
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.10
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安(Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 CST3
  • 包装/外壳 SC-101,SOT-883
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4伏
  • 最大功耗 100mW(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12欧姆@10毫安,4V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9.1 pF @ 3 V
  • 色彩/颜色 -

SSM3J15CT(TPL3) 产品详情

  • 应用范围:高速开关/模拟开关
  • 极性:P-ch
  • 生成:π-MOSⅥ
  • 内部连接:单个
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:-1.7 V
  • 装配底座:12Ω
  • 装配底座:32Ω
  • 装配底座:9.1 pF

应用

高速开关/模拟开关
SSM3J15CT(TPL3)所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3J15CT(TPL3) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3J15CT(TPL3)价格参考¥7.098042,你可以下载 SSM3J15CT(TPL3)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3J15CT(TPL3)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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