9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4712DY-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4712DY-T1-GE3参考价格为0.674美元。Vishay Siliconix SI4712DY-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO。您可以下载SI4712DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4712DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC,包括卷轴封装,它们设计用于Si4712DY-GE3零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.017870盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SO-8,以及Si技术,该器件也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单肖特基二极管,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有5W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为10 ns,上升时间为18 ns,Vgs栅源电压为2.5 V,并且Id连续漏极电流为14.6A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Vgs第二栅极-源极阈值电压为2.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为15ns,典型导通延迟时间为16ns,Qg栅极电荷为18.5nC。
SI4712DY是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC。SI4712DY采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC。
SI4712DY-T1,带有VISHAY制造的电路图。SI4712DY-T1采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC。
SI4712DY-T1-E3,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4712DY-T1-E3采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。