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SI4860DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4860DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
SI4860DY是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8引脚SOIC N。SI4860DY采用SOP8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8引脚SOIC N。
SI4860DY-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8引脚SOIC N T/R。SI4860DY-T1在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8引脚SOIC N T/R。
SI4860DY-T1-E3.采用VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4860DY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
